基本信息
性别：男 || 出生年月：1989年11月 || 政治面(miàn)貌：群衆
現任職稱：講師
最後(hòu)學(xué)曆：研究生 || 最後(hòu)學(xué)位：理學(xué)博士 || 獲學(xué)位單位：北京大學(xué)
聯系方式： || 郵箱：fengyulin@bistu.edu.cn || 通訊地址：北京市海澱區清河小營東路12号
導師信息
碩導/博導：碩導 || 批碩/博導時(shí)間：2022.12
在讀碩士：0 || 畢業碩士：0
所屬院系、學(xué)科及研究方向(xiàng)
所屬學(xué)院：儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院
所屬系：智能(néng)感知工程系
所屬學(xué)科：儀器科學(xué)與技術
研究方向(xiàng)：半導體光電子器件及集成(chéng)技術
工作簡曆
2022年9月-今 北京信息科技大學(xué) 講師
承擔教學(xué)任務
本科生：《論文寫作與表達》
承擔科研項目情況
2.2023-2024：校科研基金項目，InAs/InAsSb高溫長(cháng)波紅外探測器研究，主持
主要論文目錄
1. Yulin Feng, Peng Huang, Yiyang Chen, et al. Fast and accurate weight updating strategy for resistive random access memory (RRAM)-based neural networks. IEEE Electron Devices Letters, 2023, 44(3): 416-419.
2. Yulin Feng, Peng Huang, Yudi Zhao, et al. Improvement of state stability in multi-Level resistive random-access memory (RRAM) array for neuromorphic computing. IEEE Electron Devices Letters, 2021, 42(8): 1168-1171.
3. Yulin Feng, Peng Huang, Yizhou Zhang, et al. A Self‐terminated operation scheme for high‐parallel and energy‐efficient forming of RRAM array. Advanced Electronic Materials, 2020, 6(4): 1901324.
4. Yulin Feng, Peng Huang, Zheng Zhou, et al. Negative differential resistance effect in Ru-based RRAM device fabricated by atomic layer deposition. Nanoscale Research Letters, 2019, 14(1): 1-5.
5. Yulin Feng, Kailiang Zhang, Fang Wang, et al. Synthesis of large-area highly crystalline monolayer molybdenum disulfide with tunable grain size in a H2 atmosphere. ACS Applied Materials & Interfaces, 2015, 7(40): 22587-22593.
6. Kailiang Zhang**, Yulin Feng**, Fang Wang, et al. Two dimensional hexagonal boron nitride (2D-hBN): synthesis, properties and applications. Journal of Materials Chemistry C, 2017, 5: 11992-12022. (** equal contribution)
7. Yulin Feng, Kailiang Zhang, Hui Li, et al. In situ visualization and detection of surface potential variation of mono and multilayer MoS2 under different humidities using Kelvin force microscopy. Nanotechnology, 2017, 28(29): 295705.
