張東亮 副研究員 碩導
儀器科學(xué)與技術學(xué)科
基本信息
性别：男 || 出生年月：1986年8月 || 政治面(miàn)貌：群衆
現任職稱：副研究員
最後(hòu)學(xué)曆：博士研究生 || 最後(hòu)學(xué)位： 博士 || 獲學(xué)位單位：中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
聯系方式： || 郵箱：zdl_photonics@bistu.edu.cn || 通訊地址：北京海澱區清河小營東路12号
導師信息
碩導/博導：碩導 || 批碩/博導時(shí)間：2020.01
所屬院系、學(xué)科及研究方向(xiàng)
所屬學(xué)院：儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院
所屬系： 智能(néng)感知工程系
所屬學(xué)科：測控技術與儀器
研究方向(xiàng)1：矽基光子集成(chéng)傳感芯片與應用研究
研究方向(xiàng)2：新型半導體量子級聯激光器芯片研制與應用研究
研究方向(xiàng)3：新型二類超晶格紅外探測器芯片研制與應用研究
參加學(xué)術團體
中國(guó)電子學(xué)會(huì)
工作簡曆
（1）2019年5月至今，北京信息科技大學(xué)，儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院，副研究員；
（2）2015年7月至2019年4月，中國(guó)電子科技集團公司信息科學(xué)研究院，工程師；
承擔教學(xué)任務
研究生課程：《半導體物理與器件》
承擔科研項目情況
1、****部，共用技術項目，xxx半導體量子級聯激光技術，2022-01至2025-12，400萬元，在研，主持；
2、****部，領域基金項目，xxx成(chéng)像技術，2017-01至2018-12，50萬元，已結題，主持；
3、****部，******光電子項目，××××微系統原理探究，2015-09至2017-08，30萬元，已結題，主持；
4、國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)，面(miàn)上項目，61377045，矽基Ⅳ族合金材料能(néng)帶調控機制與雙異質結激光器的構建，2014-01至2017-12, 81萬元，已結題，參加；
5、國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)，面(miàn)上項目，61177038，矽基Ⅳ族材料紅外光子學(xué)探測器件的基礎研究，2012-01至2015-12，72萬元，已結題，參加
主要論文目錄
(1) 張東亮，楊凝，劉大川，林霄，王偉平，丁子瑜，胡小燕，汪志強. 矽基異質集成(chéng)化合物半導體技術新進(jìn)展,《激光與紅外》，2019,(1):9-19.
(2) Zhang Dong Liang，Xiaoyan Hu, Dachuan Liu, Xiao Lin, Weiping Wang et al. Ge1-xSnx on Si avalanche photodiodes for short wave infrared detection, Optical Sensing and Imaging Technology and Application, The International Conference on Sensing and Imaging 2018.BeiJing，2018-5-22至2018-5-24.
(3) Dong Liang, Zhang, Buwen Cheng, Chunlai Xue, Xu Zhang, Hui Cong, Zhi Liu, Qiming Wang. Theoretical study on optical gain characteristics of Ge1-xSnx alloy for short-wave infrared laser.2015 Chinese Phys. B 24 024211.
(4) Dongliang Zhang, Chunlai Xue, Buwen Cheng, Shaojian Su, Zhi Liu, Xu Zhang, Guangze Zhang, Chuanbo Li,and Qiming Wang. High-responsivity Ge1-xSnx short-wave infrared pin photodetectors [J]. Applied Physics Letters, 2013, 102(14): 141111.
(5)Shaojian Su, Dongliang Zhang, Guangze Zhang, Chunlai Xue, Buwen Cheng. Growth of Ge1−xSnx/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beamepitaxy,Superlattices and Microstructures, 2013,64:543-551.
(6) Li Chong, Zhang Dongliang, Xue Chunlai, et al. Progress in the Study of Si Based Group IV Optoelectronic Devices(II)-Photodetectors [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2014.
(7) Su Shao Jian, Zhang Dong Liang, Zhang Guang Ze, et al. High quality Ge1-xSnx alloys grown on Ge(001) substrates by molecular beam epitaxy. Acta Phys. Sin, 2013, 62(5): 058101.
